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工商時報【涂志豪╱台北報導】

由於上游晶片廠持續將產能移轉生產3D NAND，導致2D架構NAND Flash產出量下滑，因此今年5月以來NAND Flash價格持續走高，不過8月以來因為價格漲高後開始壓抑終端需求，因此NAND Flash缺貨壓力已獲紓解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業者的擴產計畫來看，3D NAND產能將在明年大量開出，明年將是3D NAND殺戮戰場。

今年NAND Flash製程持續往10奈米進行微縮，但因物理極限問題已出現發展瓶頸，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產能出現排擠，NAND Flash產出量明顯減少，而3D NAND產出又十分有限。在製程及產品線世代交替的青黃不接情況下，正好遇到智慧型手機及固態硬碟（SSD）備貨旺季，NAND Flash因此出現缺貨問題，5月以來價格持續走高。

據模組業者指出，美系品牌64Gb MLC規格NAND Flash現貨價已漲到2.8～2.9美元，128Gb MLC規格NAND Flash現貨價亦漲到3.8美元以上，5月以來平均漲幅介於8～14％。不過，由於NAND Flash漲價，帶動eMMC/eMCP、記憶卡等終端價格大漲，8月以來價格漲高後已開始壓抑終端需求，因此NAND Flash價格近期小幅走軟，業界認為，供不應求壓力已陸續獲得紓解。

在3D NAND的發展上，三星及東芝的進度最快，已經推出64層堆疊的3D NAND晶片，容量上看256～512Gb，而且在同樣產線上，位元出貨量可較NAND Flash成長3成左右。雖然3D NAND有助於NAND晶片廠成本下降，但是在所有NAND廠全數投入情況下，業界對明年3D NAND看法保守，價格戰已難以避免，明年將是3D NAND殺戮戰場。

至今年底為止，各家記憶體廠的3D NAND生產線將陸續進入量產，包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、東芝新建的Fab2、以及英特爾大連廠等。

業界認為，智慧型手機的搭載容量已上看256GB，固態硬碟主流容量也上看512GB，加上資料中心開始採用NAND Flash儲存陣列，NAND Flash市場的確仍有很大的成長空間，只是3D NAND明年產能大量開出後，終端市場要大量去化如此龐大的新產能，並不是件太容易的事，所以明年NAND Flash價格下滑風險已然大增。